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随着芯片设计的发展，芯片特征尺寸变得更小，纵横比变得更高，封装变得更密集，以生产先进的集成电路。 因此，在创建电路（或互连）时，用于定义蚀刻和金属化图案的材料对于保持这些图案的完整性极其重要。 微小的缺陷可能会导致设备无法正确金属化，从而导致其不可靠或无法正常工作。
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在互连制造工艺中，氮化钛（TiN）已成为低K电介质图案化的标准硬掩模材料。 然而，在先进节点，为了降低器件电容，电介质逐渐变得更加多孔，使其更加脆弱，并且在蚀刻后在叠加的TiN掩模的压应力的影响下容易变形（线路弯曲）。 和图表崩溃）。 虽然消除这种自然压应力会降低薄膜密度，但必须能够承受蚀刻过程。
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通过革新氮化钛 (TiN) 薄膜的物理气相沉积 (PVD) 技术，HTX TiN 解决了下一代器件的硬掩模可扩展性挑战。 随着芯片特征尺寸不断缩小，硬掩模创新对于更复杂的微小互连结构的精确图案化至关重要。 凭借多年在 PVD 领域的专业知识，新系统可生产突破性的硬掩模，确保 10 纳米以下节点的图案保真度。
随着芯片设计的发展，芯片特征尺寸变得更小，纵横比变得更高，封装变得更密集，以生产先进的集成电路。 因此，在创建电路（或互连）时，用于定义蚀刻和金属化图案的材料对于保持这些图案的完整性极其重要。 微小的缺陷可能会导致设备无法正确金属化，从而导致其不可靠或无法正常工作。
在互连制造工艺中，氮化钛（TiN）已成为低K电介质图案化的标准硬掩模材料。 然而，在先进节点，为了降低器件电容，电介质逐渐变得更加多孔，使其更加脆弱，并且在蚀刻后在叠加的TiN掩模的压应力的影响下容易变形（线路弯曲）。 和图表崩溃）。 虽然消除这种自然压应力会降低薄膜密度，但必须能够承受蚀刻过程。
